參數(shù)資料
型號： BUK663R7-75C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS FET
中文描述： 120 A, 75 V, 0.0058 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 5/14頁
文件大?。?/td> 360K
代理商： BUK663R7-75C
BUK663R7-75C
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Product data sheet
Rev. 2 — 15 September 2010
5 of 14
NXP Semiconductors
BUK663R7-75C
N-channel TrenchMOS FET
5.
Thermal characteristics
Table 5.
Symbol
R
th(j-mb)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from
junction to mounting base
Conditions
see
Figure 4
Min
-
Typ
-
Max
0.49
Unit
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration
003aae375
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
p
(s)
Z
th
(K/W)
t
p
T
P
t
t
p
T
δ
=
single shot
0.2
0.1
0.05
0.02
δ
= 0.5
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PDF描述
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BUK664R6-40C,118 功能描述:MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS INTERMEDIATE LVL FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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