參數(shù)資料
型號： BUK6510-75C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS FET
中文描述： 77 A, 75 V, 0.013 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/16頁
文件大小： 213K
代理商： BUK6510-75C
BUK6510-75C
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Product data sheet
Rev. 02 — 13 December 2010
2 of 16
NXP Semiconductors
BUK6510-75C
N-channel TrenchMOS FET
2.
Pinning information
3.
Ordering information
Table 2.
Pin
1
2
3
mb
Pinning information
Symbol
Description
G
gate
D
drain
S
source
D
mounting base; connected to drain
Simplified outline
Graphic symbol
SOT78A (TO-220AB)
1 2
mb
3
S
D
G
mbb076
Table 3.
Type number
Ordering information
Package
Name
TO-220AB
Description
plastic single-ended package; heatsink mounted; 1 mounting
hole; 3-lead TO-220AB
Version
SOT78A
BUK6510-75C
相關PDF資料
PDF描述
BUK652R0-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK652R1-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK652R3-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK652R6-40C N-channel TrenchMOS FET
BUK653R2-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BUK6510-75C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 75V 77A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK652R0-30C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH30V120ASOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,30V,120A,SOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,30V,120A,SOT78; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
BUK652R0-30C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK652R1-30C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH30V120ASOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,30V,120A,SOT78
BUK652R1-30C,127 功能描述:MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS INTERMEDIATE LVL FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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