參數(shù)資料
型號： BUK6507-75C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS FET
中文描述： 100 A, 75 V, 0.0103 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁數(shù)： 9/14頁
文件大小： 176K
代理商： BUK6507-75C
BUK6507-75C
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 4 October 2010
9 of 14
NXP Semiconductors
BUK6507-75C
N-channel TrenchMOS FET
T
j
= 25°C; I
D
= 25 A
Fig 14. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values
Fig 13. Gate charge waveform definitions
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 15. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values
V
GS
= 0 V
Fig 16. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values
003aaa508
V
GS
V
GS(th)
Q
GS1
Q
GS2
Q
GD
V
DS
Q
G(tot)
I
D
Q
GS
V
GS(pl)
003aae551
0
2
4
6
8
10
0
50
100
150
Q
G
(nC)
V
GS
(V)
V
DS
= 60 V
V
DS
= 14 V
003aae552
10
2
10
3
10
4
10
1
1
10
10
2
V
DS
(V)
C
(pF)
C
iss
C
rss
C
oss
003aae554
0
40
80
120
160
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
SD
(V)
I
S
(A)
T
j
= 175
°
C
T
j
= 25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK6510-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK652R0-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK652R1-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK652R3-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK652R6-40C N-channel TrenchMOS FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK6507-75C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 75V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK6510-75C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH75V54ASOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,75V,54A,SOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,75V,54A,SOT78; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:77A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):8.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
BUK6510-75C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 75V 77A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK652R0-30C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH30V120ASOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,30V,120A,SOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,30V,120A,SOT78; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
BUK652R0-30C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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