參數(shù)資料
型號(hào)： BUK6507-75C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS FET
中文描述： 100 A, 75 V, 0.0103 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 11/14頁(yè)
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代理商： BUK6507-75C
BUK6507-75C
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Product data sheet
Rev. 02 — 4 October 2010
11 of 14
NXP Semiconductors
BUK6507-75C
N-channel TrenchMOS FET
8.
Revision history
Table 7.
Document ID
BUK6507-75C v.2
Modifications:
Revision history
Release date
20101004
Status changed from objective to product.
Various changes to content.
20100921
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Supersedes
BUK6507-75C v.1
BUK6507-75C v.1
Objective data sheet
-
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK6510-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK652R0-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK652R1-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK652R3-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK652R6-40C N-channel TrenchMOS FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK6507-75C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 75V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK6510-75C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH75V54ASOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,75V,54A,SOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,75V,54A,SOT78; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:77A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):8.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
BUK6510-75C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 75V 77A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK652R0-30C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH30V120ASOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,30V,120A,SOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,30V,120A,SOT78; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
BUK652R0-30C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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