參數(shù)資料
型號： BUK626R2-40C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 90 A, 40 V, 0.0107 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 8/14頁
文件大?。?/td> 174K
代理商： BUK626R2-40C
BUK626R2-40C
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Product data sheet
Rev. 1 — 12 July 2011
8 of 14
NXP Semiconductors
BUK626R2-40C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage
Fig 11. Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values
Fig 12. Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature
003aad805
0
1
2
3
4
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
V
GS(th)
(V)
max
typ
min
003aad806
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
I
D
(A)
0
1
2
3
4
V
GS
(V)
max
typ
min
003aae725
5.0
0
5
10
15
20
0
50
100
150
I
D
(A)
R
DSon
(m
Ω
)
8.0
6.0
4.5
3.8
V
GS
(V) = 10
4.0
003aad793
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
0
60
120
180
T
j
(
°
C)
a
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK6507-55C N-channel TrenchMOS logic and standard level FET
BUK6507-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK6510-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK652R0-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK652R1-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
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參數(shù)描述
BUK626R2-40C,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 90A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
BUK627-400A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK627-400B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK627-450B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK627-500A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
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