參數(shù)資料
型號(hào)： BUK624R5-30C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 90 A, 30 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 7/14頁
文件大小： 194K
代理商： BUK624R5-30C
BUK624R5-30C
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Product data sheet
Rev. 2 — 17 September 2010
7 of 14
NXP Semiconductors
BUK624R5-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Source-drain diode
V
SD
source-drain voltage
I
S
= 25 A; V
GS
= 0 V; T
j
= 25 °C;
see
Figure 16
I
S
= 20 A; dI
S
/dt = -100 A/μs; V
GS
= 0 V;
V
DS
= 25 V
-
0.8
1.2
V
t
rr
Q
r
reverse recovery time
recovered charge
-
-
46
57
-
-
ns
nC
Table 6.
Symbol
Characteristics
…continued
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Fig 5.
Forward transconductance as a function of
drain current; typical values
Fig 6.
Drain-source on-state resistance as a function
of gate-source voltage; typical values
Fig 7.
Output characteristics; drain current as a
function of drain-source voltage; typical values
Fig 8.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values
003aae308
0
25
50
75
100
125
g
fs
(S)
0
25
50
75
100
I
D
(A)
003aae594
0
10
20
30
40
0
5
10
15
20
V
GS
(V)
R
DSon
(m
)
003aae595
0
25
50
75
100
0
0.5
1
1.5
2
V
DS
(V)
I
D
(A)
3.6
3.8
4.0
4.5
10.0
3.2
5.0
V
GS
(V) =
3.4
003aae808
0
20
40
60
80
100
I
D
(A)
0
2
4
6
V
GS
(V)
T
j
= 25
C
T
j
= 175
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK625R0-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK625R2-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK626R2-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6507-55C N-channel TrenchMOS logic and standard level FET
BUK6507-75C N-channel TrenchMOS FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK624R5-30C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 90A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK625R0-40C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH40V87ASOT428 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,40V,87A,SOT428
BUK625R0-40C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 40V 90A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK625R2-30C,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
BUK626R2-40C,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 90A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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