參數(shù)資料
型號： BUK624R5-30C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 90 A, 30 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 10/14頁
文件大?。?/td> 194K
代理商： BUK624R5-30C
BUK624R5-30C
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Product data sheet
Rev. 2 — 17 September 2010
10 of 14
NXP Semiconductors
BUK624R5-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
7.
Package outline
Fig 17. Package outline SOT428 (DPAK)
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
SOT428
SC-63
TO-252
SOT428
06-02-14
06-03-16
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Plastic single-ended surface-mounted package (DPAK); 3 leads (one lead cropped)
A
2
1
3
E
1
D
2
D
1
H
D
L
L
1
L
2
e
1
e
mounting
base
w
A
M
b
E
b
2
b
1
c
A
1
y
0
5
10 mm
scale
UNIT
mm
0.93
0.46
5.46
5.00
0.56
0.20
6.22
5.98
6.73
6.47
10.4
9.6
2.95
2.55
A
1
2.38
2.22
A
b
2
1.1
0.9
b
1
e
1
0.89
0.71
b
c
D
1
0.9
0.5
L
2
E
e
2.285
4.57
4.0
D
2
min
4.45
E
1
min
0.5
L
1
min
H
D
L
w
0.2
y
max
0.2
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK625R0-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK625R2-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK626R2-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6507-55C N-channel TrenchMOS logic and standard level FET
BUK6507-75C N-channel TrenchMOS FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK624R5-30C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 90A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK625R0-40C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH40V87ASOT428 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,40V,87A,SOT428
BUK625R0-40C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 40V 90A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK625R2-30C,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
BUK626R2-40C,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 90A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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