參數(shù)資料
型號： BUK6212-40C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 50 A, 40 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 5/14頁
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代理商： BUK6212-40C
BUK6212-40C
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Product data sheet
Rev. 2 — 21 September 2010
5 of 14
NXP Semiconductors
BUK6212-40C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
5.
Thermal characteristics
Table 5.
Symbol
R
th(j-mb)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from junction
to mounting base
Conditions
see
Figure 4
Min
-
Typ
-
Max
1.87
Unit
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration
003aae458
10
2
10
1
1
10
10
6
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
t
p
(s)
single shot
0.2
0.1
0.05
0.02
Z
th(j-mb)
(K/W)
δ
= 0.5
t
p
t
p
T
T
P
t
δ
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BUK6213-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
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參數(shù)描述
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BUK6213-30A,118 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 64A 3-Pin(2+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK6213-30C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH30V33ASOT428 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,30V,33A,SOT428 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,30V,33A,SOT428; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:47A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):11.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
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