參數(shù)資料
型號(hào)： BUK6209-30C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 50 A, 30 V, 0.0192 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 9/14頁(yè)
文件大?。?/td> 359K
代理商： BUK6209-30C
BUK6209-30C
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Product data sheet
Rev. 2 — 1 October 2010
9 of 14
NXP Semiconductors
BUK6209-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Fig 13. Gate charge waveform definitions
Fig 14. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values
Fig 15. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values
Fig 16. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values
003aaa508
V
GS
V
GS(th)
Q
GS1
Q
GS2
Q
GD
V
DS
Q
G(tot)
I
D
Q
GS
V
GS(pl)
003aae792
0
2
4
6
8
10
V
GS
(V)
0
10
20
30
40
Q
G
(nC)
V
DS
= 14V
24V
003aae793
10
10
2
10
3
10
4
10
-2
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
C
(pF)
C
iss
C
rss
C
oss
003aae791
0
20
40
60
80
100
I
S
(A)
0
0.5
1
1.5
2
V
SD
(V)
T
j
= 25
°
C
T
j
= 175
°
C
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PDF描述
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