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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUK483-60A |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor |
| 中文描述： | 3.2 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商： | BUK483-60A |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
BUK483-60A
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 0.11 g
Fig.19. SOT223 surface mounting package.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to surface mounting instructions for SOT223 envelope.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
6.7
6.3
3.1
2.9
4
1
2
3
2.3
1.05
0.85
0.80
0.60
4.6
3.7
3.3
7.3
6.7
B
A
0.10
0.02
13
16
max
1.8
max
10
max
0.32
0.24
(4x)
B
M
0.1
A
M
0.2
September 1995
7
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK539-60A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | SOT-93 |
| BUK541-60A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-186 |
| BUK541-60B | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 4.8A I(D) | SOT-186 |
| BUK542-50A | N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK542-50B | N-Channel Enhancement MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK539-60A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | SOT-93 |
| BUK541-100A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 3A I(D) | SOT-186 |
| BUK541-100B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 3A I(D) | SOT-186 |
| BUK541-60A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-186 |
| BUK541-60B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 4.8A I(D) | SOT-186 |
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