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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUK483-60A |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor |
| 中文描述： | 3.2 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | BUK483-60A |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
BUK483-60A
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 3.2 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
amb
); conditions: I
D
= 3.2 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
0
10
20
QG / nC
VGS / V
15
10
5
0
VDS / V =12
48
5
15
20
40
60
80
Tamb/ C
100
120
140
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
Normalised Avalanche Energy
0
1
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.5
1.5
VSDS / V
ID / A
Tj / C = 150
25
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
September 1995
5
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK539-60A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | SOT-93 |
| BUK541-60A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-186 |
| BUK541-60B | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 4.8A I(D) | SOT-186 |
| BUK542-50A | N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK542-50B | N-Channel Enhancement MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK539-60A | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | SOT-93 |
| BUK541-100A | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 3A I(D) | SOT-186 |
| BUK541-100B | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 3A I(D) | SOT-186 |
| BUK541-60A | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-186 |
| BUK541-60B | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 4.8A I(D) | SOT-186 |
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