參數(shù)資料
型號(hào)： BUK127-50DL
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 外設(shè)及接口
英文描述： PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管邏輯電平TOPFET)
中文描述： 1.8 A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PDSO4
封裝： PLASTIC, SOT-223, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/11頁(yè)
文件大小： 96K
代理商： BUK127-50DL
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
Logic level TOPFET
BUK127-50DL
Fig.14. Typical Protection reset voltage.
V
ISR
= f(T
j
); t
lr
= 100
μ
s.
Fig.15. Overvoltage clamping characteristic, 25C.
I
D
= f(V
DS
); conditions: V
IS
= 0 V; t
p
≤
300
μ
s
Fig.16. Test circuit for resistive load switching times.
V
IS
= 5 V
Fig.17. Typical switching waveforms, resistive load .
R
L
= 50
; adjust V
DD
to obtain I
D
= 250 mA; T
j
= 25C
Fig.18. Typical drain source leakage current
I
DSS
= f(T
j
); conditions: V
DS
= 40 V; V
IS
= 0 V.
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
-50
50
150
BUK127-50DL
VISR / V
Tj / C
-25
0
25
75
100
125
VIS
VDS
0
5
10
15
-20
20
40
60
80
100
120
140
160
0
-40
time / us
VIS & VDS / V
BUK127-50DL
56
58
60
62
VDS / V
64
66
68
0
100
200
300
400
BUK127-50DL
ID / mA
TYP.
-50
0
50
100
150
10 uA
1 uA
100 nA
10 nA
BUK127-50DL
IDSS
Tj / C
VDD
D.U.T.
0V
VIS
D
S
I
TOPFET
P
RL
VDS
measure
October 1999
7
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK127-50DL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 700MA I(D) | SOT-223
BUK130-50DL Logic level TOPFET SMD version of BUK119-50DL
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BUK127-50DL,115 功能描述:MOSFET TAPE-7 TOPFET2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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BUK127-50GT,115 功能描述:MOSFET TAPE-7 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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