參數(shù)資料
型號(hào)： BUK109-50GS
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： PowerMOS transistor TOPFET(功率MOS晶體管TOPFET)
中文描述： 29 A, 50 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大?。?/td> 115K
代理商： BUK109-50GS
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
TOPFET
BUK109-50GS
Fig.12. Typical overload protection characteristics.
t
d sc
= f(P
DS
); conditions: V
IS
≥
5 V; T
j
= 25 C.
Fig.13. Normalised limiting overload dissipation.
P
DSM
% =100
P
DSM
/P
DSM
(25 C) = f(T
mb
)
Fig.14. Typical overload protection characteristics.
Conditions: V
DD
= 13 V; V
IS
= 10 V; SC load = 30 m
Fig.15. Typical clamping characteristics, 25 C.
I
D
= f(V
DS
); conditions: V
IS
= 0 V; t
p
≤
50
μ
s
Fig.16. Input threshold voltage.
V
IS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= 5 V
Fig.17. Typical DC input characteristics, T
j
= 25 C.
I
IS
= f(V
IS
); normal operation
0.1
1
10
PDS / kW
td sc / ms
BUK109-50GS
100
10
1
0.1
PDSM
50
60
70
VIS / V
ID / A
BUK109-50GS
30
20
10
0
typ.
-60
-40
-20
0
20
40
Tmb / C
60
80
100
120
140
PDSM%
120
100
80
60
40
20
0
-60
-40
-20
0
20
40
Tj / C
60
80
100
120
140
VIS(TO) / V
2
1
0
max.
typ.
min.
-60
-20
20
60
100
140
180
220
Tmb / C
BUK109-50GS
1
0.5
0
Energy / J
Time / ms
Tj(TO)
Energy & Time
0
2
4
6
8
10
12
14
BUK109-50GS
VIS / V
II / mA
1.0
0.5
0
June 1996
7
Rev 1.000
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PDF描述
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