參數(shù)資料
型號： BUK108-50GL
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場效應(yīng)管邏輯電平TOPFET)
中文描述： 13.5 A, 50 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大小： 127K
代理商： BUK108-50GL
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
Logic level TOPFET
BUK108-50GL
Fig.20. Test circuit for resistive load switching times.
Fig.21. Typical switching waveforms, resistive load.
V
DD
= 13 V; R
L
= 4
; R
I
= 50
, T
j
= 25 C.
Fig.22. Typical switching waveforms, resistive load.
V
DD
= 13 V; R
L
= 4
; R
I
= 50
, T
j
= 25 C.
Fig.23. Test circuit for inductive load switching times.
Fig.24. Typical switching waveforms, inductive load.
V
DD
= 13 V; I
D
= 3 A; R
I
= 50
, T
j
= 25 C.
Fig.25. Typical switching waveforms, inductive load.
V
DD
= 13 V; I
D
= 3 A; R
I
= 50
, T
j
= 25 C.
VDD
D.U.T.
R
0V
0R1
I
VIS
ID measure
D
S
I
TOPFET
P
RL
: adjust for correct ID
VDD = VCL
LD
D.U.T.
R
0V
tp
0R1
I
VIS
ID measure
D
S
I
TOPFET
P
0
10
20
RESISTIVE TURN-ON
time / us
BUK108-50GL
10
5
0
VDS / V
VIS / V
ID / A
10%
10%
td on
90%
tr
0
10
20
INDUCTIVE TURN-ON
time / us
BUK108-50GL
10
5
0
VDS / V
VIS / V
ID / A
10%
90%
10%
td on
tr
0
10
20
RESISTIVE TURN-OFF
time / us
BUK108-50GL
10
5
0
VDS / V
VIS / V
ID / A
90%
90%
10%
td off
tf
0
10
20
INDUCTIVE TURN-OFF
time / us
BUK108-50GL
15
10
5
0
VDS / V
VIS / V
ID / A
90%
90%
10%
td off
tf
June 1996
8
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK108-50GS PowerMOS transistor TOPFET(功率MOS晶體管TOPFET)
BUK109-50DL PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場效應(yīng)管邏輯電平TOPFET)
BUK109-50GL PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場效應(yīng)管邏輯電平TOPFET)
BUK109-50GS PowerMOS transistor TOPFET(功率MOS晶體管TOPFET)
BUK111-50GL Logic level TOPFET SMD version of BUK112-50GL
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參數(shù)描述
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BUK109-50GL 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET
BUK109-50GS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PowerMOS transistor TOPFET
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