參數(shù)資料
型號(hào)： BUK108-50GL
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管邏輯電平TOPFET)
中文描述： 13.5 A, 50 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 7/11頁(yè)
文件大小： 127K
代理商： BUK108-50GL
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
Logic level TOPFET
BUK108-50GL
Fig.14. Typical overload protection characteristics.
Conditions: V
DD
= 13 V; V
IS
= 5 V; SC load = 30 m
Fig.15. Typical clamping characteristics, 25 C.
I
D
= f(V
DS
); conditions: V
IS
= 0 V; t
p
≤
50
μ
s
Fig.16. Input threshold voltage.
V
IS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= 5 V
Fig.17. Typical DC input characteristics.
I
IS
= f(V
IS
); normal operation, parameter: T
j
Fig.18. Typical DC input characteristics, T
j
= 25 C.
I
ISL
= f(V
IS
); overload protection operated
I
D
= 0 A
Fig.19. Typical reverse diode current, T
= 25 C.
I
S
= f(V
SDS
); conditions: V
IS
= 0 V; t
p
= 250
μ
s
-60
-20
20
60
100
140
180
220
Tmb / C
Energy & Time
BUK108-50GL
1
0.5
0
Energy / J
Time / ms
Tj(TO)
0
2
4
6
8
10
VIS / V
IIS / uA
BUK108-50GL
500
400
300
200
100
0
150 C
25 C
50
60
70
BUK108-50GL
VDS / V
ID / A
20
15
10
5
0
typ.
0
2
4
6
8
VIS / V
IISL / mA
BUK108-50GL
3
2
1
0
RESET
PROTECTION LATCHED
NORMAL
-60
-40
-20
0
20
40
Tj / C
60
80
100
120
140
VIS(TO) / V
2
1
0
max.
typ.
min.
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
BUK108-50GL
VSD / V
IS / A
60
50
40
30
20
10
0
June 1996
7
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK108-50GS PowerMOS transistor TOPFET(功率MOS晶體管TOPFET)
BUK109-50DL PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管邏輯電平TOPFET)
BUK109-50GL PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管邏輯電平TOPFET)
BUK109-50GS PowerMOS transistor TOPFET(功率MOS晶體管TOPFET)
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參數(shù)描述
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BUK109-50DL,118 功能描述:MOSFET N-CH 50V 26A SOT404 RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開關(guān) 系列:TOPFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅(qū)動(dòng)器 輸入類型:SPI 輸出數(shù):8 導(dǎo)通狀態(tài)電阻:850 毫歐，1.6 歐姆 電流 - 輸出 / 通道:205mA，410mA 電流 - 峰值輸出:500mA，1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR)
BUK109-50GL 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET
BUK109-50GS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PowerMOS transistor TOPFET
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