參數(shù)資料
型號： BUK108-50DL
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 外設及接口
英文描述： PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPFET)
中文描述： BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, SSO3
封裝： SSO-3
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大?。?/td> 89K
代理商： BUK108-50DL
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
Logic level TOPFET
BUK108-50DL
Fig.20. Typical off-state leakage current.
I
DSS
= f(T
j
); Conditions: V
DS
= 40 V; I
IS
= 0 V.
Fig.21. Normalised input currents (normal & latched).
I
ISO
/I
ISO
25C & I
ISL
/I
ISL
25C = f(T
j
); V
IS
= 5 V
0
20
40
60
80
100
120
140
Tj / C
Idss
1 mA
100 uA
10 uA
1 uA
100 nA
typ.
-60
-20
20
60
Tj / C
100
140
180
Iiso & Iisl normalised to 25 C
1.5
1
0.5
June 1996
8
Rev 1.000
相關PDF資料
PDF描述
BUK108-50GL PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場效應管邏輯電平TOPFET)
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BUK108-50DL /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK108-50DL,118 功能描述:MOSFET TAPE13 TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK108-50GL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK108-50GS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK109-50DL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
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