參數(shù)資料
型號: BUJ403AX
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管)
中文描述: 6 A, 550 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: PLASTIC, FULL PACK-3
文件頁數(shù): 5/7頁
文件大?。?/td> 70K
代理商: BUJ403AX
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ403AX
Fig.13. Reverse bias safe operating area. T
j
T
j max
Fig.14. Test circuit for reverse bias safe operating
area.
V
cl
1000V; V
cc
= 150V; V
= -5V; L
B
= 1
μ
H;L
c
=
200
μ
H
0
200
400
600
800
1,000
1,200
1,400
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
VCEclamp (V)
IC (A)
LB
IBon
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
VCL
December 1998
5
Rev 1.200
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PDF描述
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BUJD103AD,118 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS NPN 700V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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