參數(shù)資料
型號： BUJ303AX
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
封裝： BUJ303AX<SOT186A (TO-220F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT186A.html<1<,;
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代理商： BUJ303AX
BUJ303AX
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 05 — 3 May 2011
5 of 14
NXP Semiconductors
BUJ303AX
NPN power transistor
5.
Thermal characteristics
6.
Isolation characteristics
Table 5.
Symbol
R
th(j-h)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from junction to
heatsink
thermal resistance from junction to
ambient
Conditions
with heatsink compound ;
see
Figure 5
in free air
Min
-
Typ
-
Max
3.95
Unit
K/W
R
th(j-a)
-
55
-
K/W
Fig 5.
Transient thermal impedance from junction to heatsink as a function of pulse duration
003aag067
10
-1
10
-2
1
10
Z
th(j-h)
(K/W)
10
-3
10
-6
1
10
-3
10
-5
10
10
-2
t
p
(s)
10
-4
10
2
10
-1
t
p
t
p
T
T
P
tot
t
δ
=
δ = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
Table 6.
Symbol
V
isol(RMS)
Isolation characteristics
Parameter
RMS isolation voltage
Conditions
50 Hz
≤
f
≤
60 Hz; RH
≤
65 %; T
h
= 25 °C;
from all terminals to external heatsink; clean
and dust free
from collector to external heatsink ;
f = 1 MHz; T
h
= 25 °C
Min
-
Typ
-
Max
2500
Unit
V
C
isol
isolation capacitance
-
10
-
pF
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PDF描述
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