參數(shù)資料
型號(hào)： BUJ303AX
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
封裝： BUJ303AX<SOT186A (TO-220F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT186A.html<1<,;
文件頁(yè)數(shù)： 2/14頁(yè)
文件大小： 586K
代理商： BUJ303AX
BUJ303AX
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 05 — 3 May 2011
2 of 14
NXP Semiconductors
BUJ303AX
NPN power transistor
2.
Pinning information
3.
Ordering information
4.
Limiting values
Table 2.
Pin
1
2
3
mb
Pinning information
Symbol
Description
B
base
C
collector
E
emitter
n.c.
mounting base; isolated
Simplified outline
Graphic symbol
SOT186A (TO-220F)
3
2
1
mb
sym123
C
E
B
Table 3.
Type number
Ordering information
Package
Name
TO-220F
Description
plastic single-ended package; isolated heatsink mounted;
1 mounting hole; 3-lead TO-220 "full pack"
Version
SOT186A
BUJ303AX
Table 4.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Limiting values
Symbol
V
CESM
V
CEO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
collector-emitter peak voltage
collector-emitter voltage
collector current
peak collector current
base current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
Conditions
V
BE
= 0 V
I
B
= 0 A
see
Figure 1
; see
Figure 2
; see
Figure 4
Min
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
Max
1000
500
5
10
2
4
32
150
150
Unit
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
DC
T
h
≤
25 °C; see
Figure 3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUJ303A NPN power transistor
BUJ303B NPN power transistor
BUJ403A NPN power transistor
BUJD103AD NPN power transistor with integrated diode
BUJD105AD NPN power transistor with integrated diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUJ303AX,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN POWER TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ303AX_11 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN power transistor Very high voltage capability Isolated package
BUJ303B 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUJ303B,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 5A 3-Pin(3+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ303B127 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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