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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUJ106AX |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| 中文描述： | 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, FULL PACK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 63K |
| 代理商： | BUJ106AX |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ106AX
Fig.7. Normalised power dissipation.
PD% = 100
PD/PD
25C
= f (T
hs
)
Fig.8. Typical DC current gain. h
FE
= f(I
C
)
parameter V
CE
Fig.9. Collector-Emitter saturation voltage.
Solid lines = typ values, V
CEsat
= f(IB); T
j
=25C.
Fig.10. Base-Emitter saturation voltage.
Solid lines = typ values, V
BEsat
= f(IC); at IC/IB =4.
Fig.11. Collector-Emitter saturation voltage.
Solid lines = typ values, V
CEsat
= f(IC); at IC/IB =4.
Fig.12. Transient thermal impedance.
Z
th j-hs
= f(t); parameter D = t
p
/T
0
20
40
60
80
100
120
140
Ths / C
%
Normalised Derating
with heatsink compound
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
Ptot
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
IC/A
VBEsat/V
0.01
0.05
0.1
0.3
IC/A
1
2
5
8
12
2
5
10
15
20
30
50
HFE
VCE = 5V
VCE = 1V
0.1
1
10
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
IC/A
VCEsat/V
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
IB/A
VCEsat/V
4A
3A
2A
1A
1u
100u
10m
1
100
t / s
Zth / (K/W)
10
1
0.1
0.01
0.001
D=0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
10u
1m
100m
10
D =
tp
T
T
P
D
t
t
p
BU1706AX
March 1999
4
Rev 2.000
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PDF描述 |
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