參數(shù)資料
型號(hào)： BUJ106A
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
封裝： BUJ106A<SOT78 (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<week 1, 2005,;
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 125K
代理商： BUJ106A
NXP
Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ106A
Fig.13. Reverse bias safe operating area (T
j
< T
jmax
)
for -V
be
= 5V,3V and 1V.
Fig.14. Test circuit for reverse bias safe operating
area.
V
clamp
< 1000V; V
cc
= 150V; -V
be
= 5V,3V & 1V;
L
B
= 1
μ
H; L
C
= 200
μ
H
0
100
200
300
400
VCEclamp/V
500
600
700
800
900
0
2
4
6
8
10
12
14
IC/A
-5V
-3V
-1V
LB
IBon
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
PROBE POINT
VCL(RBSOAR)
March 1999
5
Rev 2.000
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PDF描述
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