參數(shù)資料
型號(hào)： BUJ105AX
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
中文描述： 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, FULL PACK-3
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 75K
代理商： BUJ105AX
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ105AX
Fig.13. Transient thermal impedance.
Z
th j-hs
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.14. Test circuit for reverse bias safe operating
area.
V
clamp
< 700V; V
= 150V; -V
= 5V,3V & 1V;
L
B
= 1
μ
H; L
C
= 200
μ
H.
Fig.15. Reverse bias safe operating area (T
j
< T
jmax
)
for -V
be
= 5V,3V & 1V.
1u
100u
10m
1
100
t / s
Zth / (K/W)
10
1
0.1
0.01
0.001
D=0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
10u
1m
100m
10
D =
tp
T
T
P
D
t
t
p
BU1706AX
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
VCEclamp/V
IC/A
-5V
-3V
-1V
LB
IBon
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
VCL
February 1999
5
Rev 1.000
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PDF描述
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