參數資料
型號： BUJ103AU
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管)
中文描述： 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
封裝： PLASTIC, IPAK-3
文件頁數： 7/8頁
文件大?。?/td> 84K
代理商： BUJ103AU
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ103AU
MECHANICAL DATA
Fig.19. SOT533 surface mounting package. Pin 2 connected to mounting base.
REFERENCES
OUTLINE
EUROPEAN
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT533
99-02-18
TO-251
0
2.5
5 mm
scale
Plastic single-ended package (Philips version of I-PAK); 3 leads (in-line)
SOT533
UNIT
D
e
Q
L
c
e1
A
2.285
mm
2.38
7.28
A1
0.89
b
0.89
0.56
0.46
E
1
D1
1.06
0.96
E
6.73
6.47
5.36
5.26
4.57
9.8
9.4
1.00
1.10
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
D
D1
L
1
2
3
mounting
base
e1
e
Q
b
A
E
E1
A1
c
w
M
October 1999
7
Rev 1.100
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PDF描述
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