- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄385199 > BUJ100 (NXP Semiconductors N.V.) NPN power transistor PDF資料下載
參數資料
| 型號： | BUJ100 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN power transistor |
| 封裝： | BUJ100<SOT54 (TO-92)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 5, 2005,;BUJ100<SOT54 (TO-92)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 5, 2005,; |
| 文件頁數： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 142K |
| 代理商： | BUJ100 |
NXP
Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ100
Fig.13. Inductive switching.
tsi = f(h
FE
)
Fig.14. Inductive switching.
tsi = f(I
C
)
RESISTIVE SWITCHING
Fig.15. Test circuit resistive load. V
= -6 to +8 V
V
= 250 V; t
= 20
μ
s;
δ
= t
p
/ T = 0.01.
R
B
and R
L
calculated from I
Con
and I
Bon
requirements.
Fig.16. Switching times waveforms with resistive load.
Fig.17. Resistive switching.
ton = f(I
C
)
Fig.18. Resistive switching.
ts = f(I
C
)
2
4
6
8
10
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
HFE GAIN (IC/IB)
tsi (us)
11
IC = 2A
IC = 1A
IC = 1.5A
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
IC COLLECTOR CURRENT /A
tsi (us)
IC/IB = 10
IC/IB = 5
IC/IB = 3
tp
T
VCC
R
R
T.U.T.
0
VIM
B
L
IC
IB
10 %
10 %
90 %
90 %
ton
toff
ts
tf
IBon
-IBoff
ICon
tr
30ns
0
0.5
1
1.5
2
0
0.5
1
1.5
2
IC COLLECTOR CURRENT (A)
ton (us)
IC/IB = 3
IC/IB = 5
IC/IB = 10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
IC COLLECTOR CURRENT (A)
ts (us)
IC/IB = 3
IC/IB = 10
IC/IB = 5
September 1999
5
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUJ103AD | NPN power transistor |
| BUJ103AX | NPN power transistor |
| BUJ103A | Silicon diffused power transistor |
| BUJ105AB | NPN power transistor |
| BUJ105AD | NPN power transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BUJ100,126 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin SPT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUJ100,412 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin SPT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| buj100412 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BUJ100AT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BUJ100B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。