參數(shù)資料
型號： BUJ100
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
封裝： BUJ100<SOT54 (TO-92)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 5, 2005,;BUJ100<SOT54 (TO-92)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 5, 2005,;
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大小： 142K
代理商： BUJ100
NXP
Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ100
STATIC CHARACTERISTICS
T
lead
= 25 C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
Collector cut-off current
1
I
CES
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
CES
,I
CBO
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
V
CEO
= V
(400V)
V
= 9 V; I
= 0 A
I
= 0 A; I
C
= 10mA;
L = 25 mH
I
C
= 0.75 A;I
B
= 0.15 A
I
C
= 0.75 A; I
B
=0.15 A
-
-
0.8
2.0
100
500
μ
A
μ
A
I
CEO
I
EBO
V
CEOsust
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter sustaining voltage
-
-
-
100
100
-
μ
A
μ
A
V
0.05
-
400
V
CEsat
V
BEsat
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
-
-
0.24
0.93
1.0
1.3
V
V
h
FE
h
FE
h
FE
DC current gain
I
C
= 10mA; V
CE
= 5 V
I
C
= 100mA; V
CE
= 5 V
I
C
= 0.75 A; V
CE
= 5 V
11
12.5
9
20
21
14
27
31
20
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
lead
= 25 C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
TYP.
MAX.
UNIT
Switching times (resistive load)
I
Con
= 1.0 A; I
= -I
= 200mA;
R
L
= 75 ohms; V
BB2
= 4 V;
t
on
t
s
t
f
Turn-on time
Turn-off storage time
Turn-off fall time
0.65
0.88
250
0.88
1.2
338
μ
s
μ
s
ns
Switching times (inductive load)
I
= 1.0 A; I
Bon
= 200mA; L
B
= 1
μ
H;
-V
BB
= 5 V
t
s
t
f
Turn-off storage time
Turn-off fall time
0.51
50
0.7
70
μ
s
ns
Switching times (inductive load)
I
= 1.0 A; I
Bon
= 200mA; L
B
= 1
μ
H;
-V
BB
= 5 V; T
j
t
s
t
f
Turn-off storage time
Turn-off fall time
-
-
1.4
130
μ
s
ns
1
Measured with half sine-wave voltage (curve tracer).
September 1999
2
Rev 1.000
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PDF描述
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buj100412 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BUJ100AT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUJ100B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
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