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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BU505DF |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon diffused power transistors |
| 中文描述： | 2.5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | BU505DF |
1997 Aug 13
7
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BU505F; BU505DF
Fig.6
Test circuit for collector-emitter
sustaining voltage.
handbook, halfpage
MGE252
+
50 V
100 to 200
30 to 60 Hz
L
6 V
oscilloscope
vertical
horizontal
1
300
Fig.7
Oscilloscope display for collector-emitter
sustaining voltage.
handbook, halfpage
(mA)
MGE239
250
200
100
0
min
VCEOsust
VCE (V)
Fig.8
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 2; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
VCEsat
(mV)
0
10
1
1
10
MGB889
200
400
600
IC (A)
Fig.9
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 2; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0.5
10
1
1
10
MGB882
1
VBEsat
(V)
IC (A)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU505F | Silicon diffused power transistors |
| BU505 | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| BU505D | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| BU506F | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| BU506DF | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BU505DF/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR LEISTUNGS BIPOLAR |
| BU505F | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon diffused power transistors |
| BU506 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon diffused power transistors |
| BU-506 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述: |
| BU506-1 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:2 BUSHING,RGD/IMC,NM,INSUL,EA |
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