參數(shù)資料
型號： BU4508DZ
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管)
中文描述： 8 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 54K
代理商： BU4508DZ
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU4508DZ
Fig.7. Typical collector-emitter saturation voltage.
Fig.8. Typical base-emitter saturation voltage.
Fig.9. Typical collector storage and fall time.
I
C
=5 A; T
j
= 85C; f = 16kHz
Fig.10. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25C
Fig.11. Transient thermal impedance.
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
IC / A
VCESAT \ V
Ths = 25 C
Ths = 85 C
BU4508DF/X/Z
0
20
40
60
80
100
120
140
Ths / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
with heatsink compound
0
1
2
3
4
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
IB / A
VBESAT / V
Ths = 25 C
Ths = 85 C
IC = 5 A
BU4508DF/X/Z
1.0E-07
1.0E-05
1.0E-03
t / s
1.0E-01
1.0E+01
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.1
0.05
0.02
0.5
BU4508AZ
Zth K/W
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
2
4
6
8
10
IB / A
ts/tf/ us
ICsat = 5 A
Ths = 85 C
Freq = 16 kHz
BU4508D ts/tf
February 1999
4
Rev 1.000
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PDF描述
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