參數(shù)資料
型號: BU407D
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: Silicon NPN Switching Transistors(硅NPN開關(guān)晶體管)
中文描述: 硅NPN開關(guān)晶體管(硅npn型開關(guān)晶體管)
文件頁數(shù): 2/4頁
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代理商: BU407D
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case Max
2.08
o
C/W
o
C/W
Thermal Resistance Junction-ambient Max
70
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CEV
Collector Cut-off
Current (V
BE
= - 1.5V)
for
BU406D
V
CE
=400 V
for
BU407D
V
CE
=330 V
V
EB
= 6 V
15
15
mA
mA
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
Collector-emitter
Saturation Voltage
Base-emitter
Saturation Voltage
Transition-Frequency
400
mA
V
CE(sat)
I
C
= 5 A I
B
= 0.65 A
1
V
V
BE(sat)
I
C
= 5 A I
B
= 0.65 A
1.3
V
f
T
I
C
= 0.5 A V
CE
= 10V
10
MHz
μ
s
A
t
off
I
s/b
Turn-off Time
I
C
= 5 A I
Bend
= 0.65 A
V
CE
= 40 V t = 10 ms
0.75
Second Breakdown
Collector Current
Diode Forward Voltage
4
V
F
I
F
= 5 A
1.5
A
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %.
BU406D/BU407D
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BU407FI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220FP
BU407FTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BU407G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 150V 60W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BU407G-X-TA3-T 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:NPN EXPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR