參數(shù)資料
型號(hào): BU2722DF
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Silicon Diffused Power Transistor
中文描述: 10 A, 825 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù): 5/7頁(yè)
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代理商: BU2722DF
Philips Semiconductors
Preliminary specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2722DF
Fig.11. Test Circuit RBSOA. V
CC
= 150 V;
-V
= 1 - 4 V;
L
C
= 1 mH; V
= 1500 V; L
= 0.5 - 2
μ
H;
C
FB
= 1 - 6 nF; I
B(end)
= 0.7 - 4 A
Fig.12. Reverse bias safe operating area. T
j
T
jmax
LB
IBend
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
VCL
CFB
1000
0
100
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
VCE / V
IC / A
1700
BU2720AF/DF
Area where
fails occur
November 1995
5
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BU2722DX TRANSISTOR | BJT | NPN | 825V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-399
BU2725DF Silicon Diffused Power Transistor
BU2725DX Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
BU2725 Silicon Diffused Power Transistor
BU2725AF Silicon Diffused Power Transistor
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