- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369550 > BU2722AF (NXP SEMICONDUCTORS) Silicon Diffused Power Transistor PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BU2722AF |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 10 A, 825 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-199, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 71K |
| 代理商： | BU2722AF |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2722AF
Fig.13. Typical power dissipation.
P
tot
= f(I
B
); I
C
= 4.5 A; f = 64 kHz; Parameter T
hs
Fig.14. Test Circuit RBSOA. V
CC
= 150 V;
-V
= 1 - 4 V;
L
C
= 1 mH; V
= 1500 V; L
= 1 - 3
μ
H;
C
FB
= 1 - 4 nF; I
B(end)
= 0.8 - 4 A
Fig.15. Reverse bias safe operating area. T
j
≤
T
jmax
0
1
2
3
4
1
10
100
BU2722AF
Ptot / W
IB / A
Ths = 85 C
Ths = 25 C
1000
0
100
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
VCE / V
IC / A
1700
BU2720AF/DF
Area where
fails occur
LB
IBend
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
VCL
CFB
September 1997
5
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2722 | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2722AX | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2722DF | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2722DX | TRANSISTOR | BJT | NPN | 825V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-399 |
| BU2725DF | Silicon Diffused Power Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BU2722AX | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor |
| BU2722DF | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2722DX | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 825V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-399 |
| BU2725 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2725AF | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。