參數(shù)資料
型號(hào)： BU2708DF
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor
中文描述： 8 A, 825 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SOT-199, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大小： 72K
代理商： BU2708DF
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2708DF
Fig.1. Switching times waveforms.
Fig.2. Switching times definitions.
Fig.3. Switching times test circuit.
Fig.4. DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
Parameter T
(Low and high gain)
IC
IB
VCE
ICsat
IBend
64us
26us
20us
t
t
t
TRANSISTOR
DIODE
+ 150 v nominal
adjust for ICsat
Lc
Cfb
D.U.T.
LB
IBend
-VBB
Rbe
ICsat
90 %
10 %
tf
ts
IBend
IC
IB
t
t
- IBM
BU2708DF
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
hFE
IC / A
Ths = 25 C
Ths = 85 C
VCE = 5 V
September 1997
3
Rev 1.400
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BU2710S Consumer IC
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參數(shù)描述
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BU-27135-141 功能描述:ACCELEROMETER 制造商:knowles 系列:BU 零件狀態(tài):有效 傳感器類型:振動(dòng)，加速 感應(yīng)范圍:- 靈敏度:-45dB ±4.5dB 輸出類型:電壓 功率 - 額定值:- 工作溫度:- 特性:防水 封裝/外殼:陶瓷 安裝類型:用戶自定義 端接:焊接接線柱 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25
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