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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BU2527AW |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 12 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-429, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 74K |
| 代理商： | BU2527AW |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2527AW
Fig.13. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25C
= f (T
mb
)
Fig.14. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.15. Forward bias safe operating area.T
= 25 C
I
& I
= f(V
); I
single pulse; parameter t
Second-breakdown limits independant of temperature.
Fig.16. Reverse bias safe operating area. T
j
≤
T
jmax
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
BU2525A
IC / A
100
10
1
0.1
0.01
1
10
100
1000 VCE / V
ICM
ICDC
Ptot
100 us
1 ms
10 ms
DC
40 us
tp =
= 0.01
1E-06
1E-04
1E-02
1E+00
t / s
Zth / (K/W)
BU2525A
D = 0
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
1
0.1
0.01
0.001
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
0
30
20
10
0
500
1000
1500
VCE / V
IC / A
BU2527AF
September 1997
5
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2527AX | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| BU2527A | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2527DF | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2527DX | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| BU2530AL | Silicon Diffused Power Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BU2527AW/B | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR LEISTUNGS BIPOLAR |
| BU2527AX | 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述: 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:12 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| BU2527DF | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2527DX | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2530AL | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
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