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參數(shù)資料
| 型號： | BU2527A |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 12 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 54K |
| 代理商： | BU2527A |
Philips Semiconductors
Preliminary specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2527A
Fig.9. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CE
sat = f (I
C
); parameter I
C
/I
B
Fig.10. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BE
sat = f (I
B
); parameter I
C
Fig.11. Typical turn-off losses.T
= 85C
Poff = f (I
B
); parameter I
C
; f = 64 kHz
ts = f (I
B
); tf = f (I
B
); parameter I
C
; T
j
= 85C; f = 64 kHz
Fig.13. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25C
= f (T
mb
)
Fig.14. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
0.1
10
IC / A
10
1
0.1
0.01
1
100
VCESAT / V
BU2527A
Tj = 25 C
Tj = 85 C
IC/IB = 5
3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
IB / A
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
ts, tf / us
BU2527AF
IC =
6A
5A
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6 1.8
2
IB / A
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
BU2527A
VBESAT / V
Tj = 25 C
Tj = 85 C
IC =
7A
6A
5A
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6 1.8
2
IB / A
100
10
1
Poff / W
BU2527AF
IC =
6A
5A
1E-06
1E-04
1E-02
1E+00
t / s
Zth / (K/W)
BU2525A
D = 0
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
1
0.1
0.01
0.001
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
November 1995
4
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2527DF | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2527DX | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
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| BU2530AW | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| BU2532AL | Silicon Diffused Power Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| BU2527AX | 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述: 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:12 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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