參數(shù)資料
型號(hào)： BU2523DF
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor
中文描述： 11 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SOT-199, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大小： 67K
代理商： BU2523DF
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2523DF
Fig.13. Test Circuit RBSOA. V
CC
= 150 V;
-V
= 1 - 5 V;
L
C
= 1.5 mH; V
= 1450 V; L
= 0.3 - 2
μ
H;
C
FB
= 0.5 - 8 nF; I
B(end)
= 0.55 - 1.1 A
Fig.14. Reverse bias safe operating area. T
j
≤
T
jmax
Fig.15. I
during normal running vs. frequency of
operation for optimum performance
LB
IBend
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
VCL
CFB
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
1
2
3
4
5
6
7
8
BU2523AF/AX
frequency (kHz)
Ic(sat) (A)
100
1000
0
10
20
30
VCE / V
IC / A
BU2523
Area where
fails occur
1500
September 1997
5
Rev 1.200
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PDF描述
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