參數(shù)資料
型號： BU2523DF
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor
中文描述： 11 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SOT-199, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： BU2523DF
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2523DF
Fig.1. Switching times waveforms.
Fig.2. Switching times definitions.
Fig.3. Definition of anti-parallel diode V
fr
and t
fr
.
Fig.4. Switching times test circuit
Fig.5. High and low DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
V
CE
= 1 V
Fig.6. High and low DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
V
CE
= 5 V
CE
ICsat
B
16 us
6.5 us
5 us
t
t
t
TRANSISTOR
DIODE
IC
IB
+ 150 v nominal
adjust for ICsat
Lc
Cfb
D.U.T.
LB
IBend
-VBB
Rbe
ICsat
90 %
10 %
tf
ts
IBend
IC
IB
t
t
- IBM
BU2523DF/X
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
VCE = 1 V
Ths = 25 C
Ths = 85 C
hFE
IC / A
time
time
VF
Vfr
VF
IF
fr
t
10%
5 V
IF
BU2523DF/X
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
VCE = 5 V
Ths = 25 C
Ths = 85 C
hFE
IC / A
September 1997
3
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BU2523DX Silicon Diffused Power Transistor
BU2525AF Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
BU2525AW INDUCTOR 1UH LOW PROFILE HIGH CURRENT
BU2525AX Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
BU2525A High Current Inductor; Inductor Type:High Frequency; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:+/- 20 %; Current Rating:15.5A; Series:IHLP-2525CZ; Package/Case:PCB Surface Mount; Mounting Type:Surface Mount; Packaging:Tape And Reel RoHS Compliant: Yes
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