參數(shù)資料
型號： BU2523AF
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor
中文描述： 11 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SOT-199, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： BU2523AF
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2523AF
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 5.5 g
Fig.15. SOT199; The seating plane is electrically isolated from all terminals.
Notes
1. Refer to mounting instructions for F-pack envelopes.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
6.2
5.8
3.5
21.5
max
15.7
min
1
2
3
2.1 max
1.2
1.0
0.4
2.0
0.7 max
45o
3.2
5.2 max
3.1
3.3
7.3
15.3 max
0.7
5.45
seating
plane
5.45
3.5 max
not tinned
M
September 1997
5
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BU2523 Inductor; Series:IHLP-2525CZ; Inductance:1.5uH; Inductance Tolerance:+/- 20 %; Terminal Type:PCB Surface Mount; Current Rating:9A; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Surface Mount; Packaging:Tape And Reel
BU2523AX Silicon Diffused Power Transistor
BU2523DF Silicon Diffused Power Transistor
BU2523DX Silicon Diffused Power Transistor
BU2525AF Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
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