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參數(shù)資料
| 型號： | BTS282-Z |
| 元件分類： | TVS-瞬態(tài)抑制二極管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | ？N通道高速TEMPFET？ |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大小： | 270K |
| 代理商： | BTS282-Z |
2000-09-11
9
BTS 282 Z
9 Typ. transfer characteristics
I
D
= f(
V
GS
);
V
DS
= 12V;
T
j
= 25°C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
5.0
V
GS
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
A
150
I
D
10 Typ. input threshold voltage
V
GS(th)
= f(T
j
);
V
DS
=
V
GS
Parameter:
I
D
-50
-25
0
25
50
75
100 125
°C
175
T
j
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
V
2.4
V
G
240μA
2.4mA
24mA
240mA
11 Typ. capacitances
C
= f(
V
DS
);
V
GS
=0 V,
f
=1 MHz
0
5
10
15
20
25
30
V
40
V
DS
-1
10
0
10
1
10
2
10
nF
C
Ciss
Coss
Crss
12 Typ. reverse diode forward
charcteristics
I
F
= f(
V
SD
)
t
p
= 80μs (spread); Parameter:
T
j
3
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
1.4
V
SD
-1
10
0
10
1
10
2
10
A
I
F
150°C
25°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BTS306E3043 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS306E3062A | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS307E3062 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS308E3043 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS308E3062 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BTS282Z E3180A | 功能描述:MOSFET TEMPFET 49V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BTS282Z E3230 | 功能描述:MOSFET TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BTS282Z_09 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Speed TEMPFET |
| BTS282ZAKSA1 | 功能描述:MOSFET TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BTS282ZE3180A | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:TEMPFET - Bulk |
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