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參數資料
| 型號： | BTB16-XXXXXRG |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 16A TRIACS |
| 中文描述： | 16A條雙向可控硅 |
| 文件頁數： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 103K |
| 代理商： | BTB16-XXXXXRG |
BTA16, BTB16 and T16 Series
5/9
Figure 7: Non-repetitive surge peak on-state
current for a sinusoidal pulse with width t
p
< 10 ms
and corresponding value of I
2
t
Figure 8: Relative variation of gate trigger
current, holding current and latching current
versus junction temperature (typical values)
Figure 9: Relative variation of critical rate of
decrease of main current versus (dV/dt)c
(typical values) (Snubberless & Logic level
types)
Figure 10: Relative variation of critical rate of
decrease of main current versus (dV/dt)c
(typical values) (Standard types)
Figure 11: D
2
PAK Thermal resistance junction to
ambient versus copper surface under tab (printed
circuit board FR4, copper thickness: 35 μm)
0.01
0.10
1.00
10.00
100
1000
3000
I
(A), I t (A s)
TSM
2
2
t (ms)
T initial=25°C
I
TSM
dI/dt limitation:
50A/μs
I t
2
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T (°C)
I
GT H L
j
I
GT H L
j
I
GT
I
H
& I
L
0.1
1.0
10.0
100.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
(dV/dt)c (V/μs)
(dI/dt)c [(dV/dt)c] / Specified (dI/dt)c
T1635/CW/BW
SW
C
B
0
25
50
75
100
125
0
1
2
3
4
5
6
(dI/dt)c [T ] /
pecified]
(dI/dt)c [T s
T (°C)
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
0
10
20
30
40
50
60
70
80
S(cm2)
R
(°C/W)
th(j-a)
D PAK
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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