參數(shù)資料
型號： BT169GW
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 晶閘管
英文描述： Thyristors logic level(可控硅邏輯電平)
中文描述： 1 A, 600 V, SCR
封裝： PLASTIC, SOT-223, 4 PIN
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 52K
代理商： BT169GW
Philips Semiconductors
Product specification
Thyristor
logic level
BT169W Series
Fig.7. Normalised gate trigger current
I
GT
(T
j
)/ I
GT
(25C), versus junction temperature T
j
.
Fig.8. Normalised latching current I
L
(T
)/ I
(25C),
versus junction temperature T
j
, R
GK
= 1 k
.
Fig.9. Normalised holding current I
H
(T
)/ I
(25C),
versus junction temperature T
j
, R
GK
= 1 k
.
Fig.10. Typical and maximum on-state characteristic.
Fig.11. Transient thermal impedance Z
th j-sp
, versus
pulse width t
p
.
Fig.12. Typical, critical rate of rise of off-state voltage,
dV
D
/dt versus junction temperature T
j
.
-50
0
50
100
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
BT169
IGT(Tj)
IGT(25 C)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
1
2
3
4
5
BT169W
VT / V
IT / A
Vo = 1.0 V
typ
max
Tj = 125 C
Tj = 25 C
-50
0
50
Tj / C
100
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
BT169
IL(Tj)
IL(25 C)
10us
0.1ms
1ms
10ms
tp / s
0.1s
1s
10s
0.01
0.1
1
10
Zth j-sp (K/W)
100
tp
P
D
t
BT169W
-50
0
50
100
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
BT169
Tj / C
IH(Tj)
IH(25 C)
0
50
100
150
1
10
100
1000
Tj / C
dVD/dt (V/us)
RGK = 1 kohms
September 1997
4
Rev 1.200
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PDF描述
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BT169BW Thyristor logic level
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