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參數(shù)資料
| 型號： | BT131WSERIES |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | Triacs logic level |
| 中文描述： | 雙向可控硅邏輯電平 |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | BT131WSERIES |
Philips Semiconductors
Product specification
Triacs
logic level
BT131W series
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
PARAMETER
R
th j-sp
Thermal resistance
junction to solder point
R
th j-a
Thermal resistance
junction to ambient
CONDITIONS
full or half cycle
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
15
UNIT
K/W
pcb mounted; minimum footprint
pcb mounted; pad area as in fig:14
-
-
156
70
-
-
K/W
K/W
STATIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
I
GT
Gate trigger current
CONDITIONS
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
-
-
-
-
0.4
1.3
1.4
3.8
3
3
3
7
mA
mA
mA
mA
I
L
Latching current
V
D
= 12 V; I
GT
= 0.1 A
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
-
-
-
-
-
-
-
1.2
4.0
1.0
2.5
1.3
1.2
0.7
0.3
0.1
5
8
5
8
5
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
I
H
V
T
V
GT
Holding current
On-state voltage
Gate trigger voltage
V
= 12 V; I
GT
= 0.1 A
I
T
= 2 A
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V; I
T
= 0.1 A; T
j
= 125 C
V
D
= V
DRM(max)
; T
j
= 125 C
1.5
1.5
-
0.5
0.2
-
I
D
Off-state leakage current
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
dV
D
/dt
Critical rate of change of
off-state voltage
t
gt
Gate controlled turn-on
time
CONDITIONS
V
= 67% V
; T
= 125 C;
exponential waveform; R
= 1 k
I
TM
= 1.5 A; V
D
= V
DRM(max)
; I
G
= 0.1 A;
dI
G
/dt = 5 A/
μ
s
MIN.
5
TYP.
15
MAX.
-
UNIT
V/
μ
s
-
2
-
μ
s
July 1998
2
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BT131W | Triacs logic level |
| BT132-500D | Triacs logic level |
| BT132_SERIES_D | Triacs logic level |
| BT132SERIESD | Triacs logic level |
| BT134-500D | Triacs logic level(雙向可控硅邏輯電平) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BT132 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Triacs logic level |
| BT132_SERIES_D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Triacs logic level |
| BT132-500D | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Triacs logic level |
| BT132-600D | 功能描述:雙向可控硅 THYR AND TRIACS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| BT132-600D,116 | 功能描述:雙向可控硅 Thyristor TRIAC 600V 17.6A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
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