參數(shù)資料
型號: BSS65R-L5
廠商: Zetex Semiconductor
英文描述: SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH SPEED TRANSISTOR
中文描述: SOT23封裝進步黨高速硅平面晶體管
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大?。?/td> 38K
代理商: BSS65R-L5
S
H
I
%
P
B
L
B
A
P
S
V
U
C
V
C
-
V
C
V
C
-
V
E
V
E
-
V
P
I
C
-
m
C
I
C
-
m
B
I
C
-
m
P
a
=
P
T
3
m
O
t
j
:
s
-
°
E
a
P
S
M
T
M
U
C
B
V
(
-
V
I
C
=
V
(
-
V
I
C
=
μ
A
V
(
-
V
I
E
=
μ
A
C
I
C
-
n
V
C
=
E
=
I
E
-
n
V
E
=
C
=
C
S
V
C
-
-
V
V
I
C
=
B
=
I
C
=
B
=
B
S
V
B
-
-
-
-
V
V
I
C
=
B
=
I
C
=
B
=
S
T
h
F
3
4
1
I
C
=
C
=
I
C
=
C
=
T
f
T
4
M
I
C
=
C
=
f
C
C
C
o
6
p
V
C
=
E
=
f
E
C
e
6
p
V
E
=
C
=
S
T
T
t
o
t
o
2
3
6
9
n
n
I
C
=
I
B
=
B
=
V
C
=
B
C
B
E
P
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BST-1 BST-1
BST-6 BST-6
BSV52-B2 SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH SPEED WITCHING TRANSISTOR
BSV52R-B4 SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH SPEED WITCHING TRANSISTOR
BTA41-400 STANDARD TRIACS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSS65TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSS65TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSS66 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER SWITCHING TRANSISTORS
BSS66-M6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER SWITCHING TRANSISTORS
BSS66R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER SWITCHING TRANSISTORS