參數(shù)資料
型號(hào)： BSS138W
廠商： Diodes Inc.
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 90K
代理商： BSS138W
DS30206 Rev. 3 - 2
5 of 5
BSS138W
www.diodes.com
C
1
10
100
V
, DRAIN SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Capacitance vs. Drain Source Voltage
DS
0
5
10
15
20
25
30
V
f = 1MHz
= 0V
GS
C
rSS
C
OSS
C
iSS
I
D
0.001
0.01
0.1
1
V
, DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Fig. 9 Body Diode Current vs. Body Diode Voltage
SD
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
150
°
C
-55
°
C
25
°
C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BSS138W L6327 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.028A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSS138W L6433 功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal Transistor 60V .28A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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