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參數(shù)資料
| 型號： | BSP75G |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 外設(shè)及接口 |
| 英文描述： | 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch |
| 中文描述： | 3 A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PDSO4 |
| 封裝： | SOT-223, TO-261AA, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 382K |
| 代理商： | BSP75G |
BSP75G
Issue 4 - May 2006
Zetex Semiconductors plc 2006
2
www.zetex.com
Functional block diagram
Applications
Especially suited for loads with a high in-rush current such as lamps and motors.
All types of resistive, inductive and capacitive loads in switching applications.
C compatible power switch for 12V and 24V DC applications.
Automotive rated.
Replaces electromechanical relays and discrete circuits.
Linear mode capability - the current-limiting protection circuitry is designed to de-activate at
low Vds, in order not to compromise the load current during normal operation. The design
maximum DC operating current is therefore determined by the thermal capability of the
package/board combination, rather than by the protection circuitry.
S
Over voltage
protection
Over current
protection
Over temperature
protection
Logic
Human body
ESD protection
D
IN
dV/dt
limitation
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSP75GTA | 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch |
| BSP75GTC | 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch |
| BSR17A | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BSR19A | NPN high voltage transistors |
| BSR30 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSP75G(2) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| BSP75GQTA | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.6A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- Vgs（最大值）:- FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 700mA, 10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 |
| BSP75GQTC | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.6A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- Vgs（最大值）:- FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 700mA, 10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 |
| BSP75GTA | 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 TobereleasedQ4/03 RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關(guān)閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 |
| BSP75GTA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:BSP75 60V 0.55 Ohm Self-Protected Low-Side IntelliFETTM MOSFET Switch- SOT-223 |
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