參數(shù)資料
型號(hào)： BSP42
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
英文描述： Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述： 表面貼裝硅外延PlanarTransistors
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 36K
代理商： BSP42
SOT223 NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 4 – MARCH 2001
COMPLEMENTARY TYPE –
BSP32
PARTMARKING DETAIL –
BSP42
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
90
V
Collector-Emitter Voltage
80
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Peak Pulse Current
2
A
Continuous Collector Current
1
A
Base Current
100
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
2
W
-55 to +150
°C
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
I
C
=100
μ
A
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
90
V
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
80
V
I
C
=10mA
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=10
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
100
50
nA
μ
A
V
V
V
CB
=60V
V
CB
=60V, T
amb
=125°C
I
C
=150mA, I
B
=15mA
I
C
=500mA, I
B
=50mA
I
C
=150mA, I
B
=15mA
I
C
=500mA, I
B
=50mA
I
C
=100
μ
A, V
CE
=5V
I
C
=100mA, V
CE
=5V
I
C
=500mA, V
CE
=5V
V
CB
=10V, f =1MHz
V
EB
=0.5V, f=1MHz
I
=50mA, V
CE
=10V
f =35MHz
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.25
0.5
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
1.0
1.2
V
V
Static Forward
Current Transfer Ratio
h
FE
10
40
30
120
Output Capacitance
C
obo
C
ibo
f
T
12
pF
Input Capacitance
90
pF
Transition Frequency
100
MHz
Turn-On Time
T
on
T
off
250
ns
V
CC
=20V, I
=100mA
I
B1
=-I
B2
=-5mA
Turn-Off Time
1000
ns
*Measured under pulsed conditions.
For typical characteristics graphs see FMMT493 datasheet.
BSP42
C
C
E
B
TBA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSP75NTA 60V self-protected low-side IntellifetTM MOSFET switch
BSR40-AR1 SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BSR42-AR3 SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BSR41-AR2 SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BSR43-AR4 SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSP42TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSP42TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSP43 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN medium power transistor,BSP43 SC-73
BSP-43 制造商:Cherry Aerospace 功能描述:
BSP43 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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