| 型號: | BSP33 |
| 廠商: | 意法半導體 |
| 英文描述: | Medium Power Amplifier(硅平面外延工藝PNP晶體管) |
| 中文描述: | 中等功率放大器(硅平面外延工藝進步黨晶體管) |
| 文件頁數: | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商: | BSP33 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSR16 | PNP switching transistors |
| BSS129 | N-Channel Depletion-Mode MOSFET Transistor(最大漏源導通電阻20Ω,夾斷電流0.15A的N溝道耗盡型MOSFET晶體管) |
| BSS69-L2 | SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER SWITCHING TRANSISTORS |
| BSS69R-L6 | SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER SWITCHING TRANSISTORS |
| BSS70-L3 | SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER SWITCHING TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSP33 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSP33,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSP33115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS PNP 80V 0.1A SOT223 |
| BSP3-347 | 功能描述:SURGE PROTECTOR-347V DRIVER RoHS:是 類別:過電壓,電流,溫度裝置 >> 照明保護 系列:BSP3 標準包裝:1 系列:- 電壓 - 工作:15V 電壓 - 箝位:- 技術:混合技術 功率(瓦特):- 電路數:1 應用:LED 保護 封裝/外殼:DO-214AA,SMB 供應商設備封裝:DO-214AA(SMB) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:497-13082-6 |
| BSP3-347-LC | 功能描述:SURGE PROTECTOR-347V DRIVER RoHS:是 類別:過電壓,電流,溫度裝置 >> 照明保護 系列:BSP3 標準包裝:1 系列:- 電壓 - 工作:15V 電壓 - 箝位:- 技術:混合技術 功率(瓦特):- 電路數:1 應用:LED 保護 封裝/外殼:DO-214AA,SMB 供應商設備封裝:DO-214AA(SMB) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:497-13082-6 |