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      • 您現(xiàn)在的位置:買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384155 > BSP33 (意法半導體) Medium Power Amplifier(硅平面外延工藝PNP晶體管) PDF資料下載
      參數(shù)資料
      型號: BSP33
      廠商: 意法半導體
      英文描述: Medium Power Amplifier(硅平面外延工藝PNP晶體管)
      中文描述: 中等功率放大器(硅平面外延工藝進步黨晶體管)
      文件頁數(shù): 1/4頁
      文件大小: 72K
      代理商: BSP33
      當前第1頁第2頁第3頁第4頁
      BSP30/31
      BSP32/33
      MEDIUM POWER AMPLIFIER
      ADVANCE DATA
      I
      SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP
      TRANSISTORS
      I
      MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR
      APPLICATION IN SURFACE MOUNTING
      CIRCUITS
      I
      GENERAL PURPOSE MAINLY INTENDED
      FOR USE IN MEDIUM POWER INDUSTRIAL
      APPLICATION AND FOR AUDIO AMPLIFIER
      OUTPUT STAGE
      I
      NPN COMPLEMENTS ARE BSP40, BSP41,
      BSP42 AND BSP43 RESPECTIVELY
      INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
      October 1995
      ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
      Symbol
      Parameter
      Value
      Unit
      BSP30/BSP31
      -70
      -60
      -70
      BSP32/BSP33
      -90
      -80
      -90
      V
      CBO
      V
      CEO
      V
      CES
      V
      EBO
      I
      C
      I
      B
      P
      tot
      T
      stg
      T
      j
      Collector-Base Voltage (I
      E
      = 0)
      Collector-Emitter Voltage (I
      B
      = 0)
      Collector-Emitter Voltage (R
      BE
      = 1K
      )
      Emitter-Base Voltage (I
      C
      = 0)
      Collector Current
      Base Current
      Total Dissipation at T
      c
      = 25
      o
      C
      Storage Temperature
      Max. Operating Junction Temperature
      V
      V
      V
      V
      A
      A
      W
      o
      C
      o
      C
      -5
      -1
      -0.1
      2
      -65 to 150
      150
      1
      2
      2
      3
      SOT-223
      1/4
      相關PDF資料
      PDF描述
      BSR16 PNP switching transistors
      BSS129 N-Channel Depletion-Mode MOSFET Transistor(最大漏源導通電阻20Ω,夾斷電流0.15A的N溝道耗盡型MOSFET晶體管)
      BSS69-L2 SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER SWITCHING TRANSISTORS
      BSS69R-L6 SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER SWITCHING TRANSISTORS
      BSS70-L3 SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER SWITCHING TRANSISTORS
      相關代理商/技術參數(shù)
      參數(shù)描述
      BSP33 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
      BSP33,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
      BSP33115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS PNP 80V 0.1A SOT223
      BSP3-347 功能描述:SURGE PROTECTOR-347V DRIVER RoHS:是 類別:過電壓,電流,溫度裝置 >> 照明保護 系列:BSP3 標準包裝:1 系列:- 電壓 - 工作:15V 電壓 - 箝位:- 技術:混合技術 功率(瓦特):- 電路數(shù):1 應用:LED 保護 封裝/外殼:DO-214AA,SMB 供應商設備封裝:DO-214AA(SMB) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:497-13082-6
      BSP3-347-LC 功能描述:SURGE PROTECTOR-347V DRIVER RoHS:是 類別:過電壓,電流,溫度裝置 >> 照明保護 系列:BSP3 標準包裝:1 系列:- 電壓 - 工作:15V 電壓 - 箝位:- 技術:混合技術 功率(瓦特):- 電路數(shù):1 應用:LED 保護 封裝/外殼:DO-214AA,SMB 供應商設備封裝:DO-214AA(SMB) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:497-13082-6
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