參數資料
型號： BSP19
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
中文描述： 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SOT-223, 4 PIN
文件頁數： 1/1頁
文件大?。?/td> 42K
代理商： BSP19
SOT223 NPN SILICON PLANAR
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ISSUE 3 FEBRUARY 1996
FEATURES
*
High V
CEO
350V
*
Low saturation voltage
COMPLEMENTARY TYPE
BSP16
PARTMARKING DETAIL
BSP19
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
400
V
Collector-Emitter Voltage
350
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Peak Pulse Current
1
A
Continuous Collector Current
0.5
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature
Range
2
W
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
I
C
=100
μ
A
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
400
V
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
350
V
I
C
=10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
20
nA
V
CB
=300V
Emitter Cut-Off Current I
EBO
0.1
μ
A
V
EB
=3V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.5
V
I
C
=50mA, I
B
=4mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
1.3
V
I
C
=50mA, I
B
=4mA*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
40
50
I
C
=20mA, V
CE
=5V*
I
C
=100mA, V
CE
=5V*
I
=10mA, V
CE
=10V
f = 20MHz
Transition Frequency
f
T
70
MHz
Output Capacitance
C
obo
10
pF
V
CB
=20V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
For typical characteristics graphs see FZT658 datasheet.
BSP19
C
C
E
B
3 - 60
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BSP1900-1.2M/JAUNE 制造商:TE Connectivity 功能描述:CGPT Polyolefin Heatshrink 19mm Yellow
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