參數(shù)資料
型號(hào)： BSP121
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 0.35 A, 200 V, 6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： BSP121
1998 Apr 01
8
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BSP121
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A
1
b
p
c
D
E
e
1
H
E
L
p
Q
y
w
v
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
0.10
0.01
1.8
1.5
0.80
0.60
b
1
3.1
2.9
0.32
0.22
6.7
6.3
3.7
3.3
2.3
e
4.6
7.3
6.7
1.1
0.7
0.95
0.85
0.1
0.1
0.2
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT223
96-11-11
97-02-28
w
M
b
p
D
b
1
e
1
e
A
A
1
L
p
Q
detail X
H
E
E
v
M
A
A
B
B
c
y
0
2
4 mm
scale
A
X
1
3
2
4
Plastic surface mounted package; collector pad for good heat transfer; 4 leads
SOT223
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSP127 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSP128 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
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參數(shù)描述
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BSP122,115 功能描述:MOSFET TAPE-7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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