參數(shù)資料
型號： BSP121
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 0.35 A, 200 V, 6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： BSP121
1998 Apr 01
4
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BSP121
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified
Drain-source breakdown voltage
I
D
= 10
μ
A; V
GS
= 0
Drain-source leakage current
V
DS
= 160 V; V
GS
= 0
V
DS
= 60 V; V
GS
= 0
Gate-source leakage current
±
V
GS
= 20 V; V
DS
= 0
Gate threshold voltage
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
V
(BR)DSS
min.
200 V
I
DSS
I
DSS
max.
max.
1.0
μ
A
200 nA
±
I
GSS
max.
100 nA
min.
max.
0.8
2.8
V
V
V
GS(th)
Drain-source on-resistance
I
D
= 400 mA; V
GS
= 10 V
typ.
max.
4.5
6.0
R
DS(on)
Transfer admittance
I
D
= 400 mA; V
DS
= 25 V
min.
typ.
200
350
mS
mS
Y
fs
Input capacitance at f = 1 MHz
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0
typ.
max.
45
60
pF
pF
C
iss
Output capacitance at f = 1 MHz
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0
typ.
max.
15
25
pF
pF
C
oss
Feedback capacitance at f = 1 MHz
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0
typ.
max.
3.5
10
pF
pF
C
rss
Switching times (see Figs 2 and 3)
I
D
= 250 mA; V
DD
= 50 V; V
GS
= 0 to 10 V
typ.
max.
5
10
pF
pF
t
on
t
off
typ.
max.
15
20
ns
ns
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