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參數(shù)資料
型號： BSO612CV G
廠商： Infineon Technologies
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 0K
描述： MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
其它圖紙： SO-8 Dual
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
系列： SIPMOS®
FET 型： N 和 P 溝道
FET 特點： 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss)： 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： 3A，2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 120 毫歐 @ 3A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 20µA
閘電荷(Qg) @ Vgs： 15.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds： 340pF @ 25V
功率 - 最大： 2W
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： PG-DSO-8
包裝： 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁面： 1619 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱： BSO612CVGINDKR
2
SY10H607
SY100H607
Micrel, Inc.
M9999-032906
hbwhelp@micrel.com or (408) 955-1690
PACKAGE/ORDERING INFORMATION
Ordering Information(1)
Package
Operating
Package
Lead
Part Number
Type
Range
Marking
Finish
SY10H607JC
J28-1
Commercial
SY10H607JC
Sn-Pb
SY10H607JCTR(2)
J28-1
Commercial
SY10H607JC
Sn-Pb
SY100H607JC
J28-1
Commercial
SY100H607JC
Sn-Pb
SY100H607JCTR(2)
J28-1
Commercial
SY100H607JC
Sn-Pb
SY10H607JZ(3)
J28-1
Commercial
SY10H607JZ with
Matte-Sn
Pb-Free bar-line indicator
SY10H607JZTR(2, 3)
J28-1
Commercial
SY10H607JZ with
Matte-Sn
Pb-Free bar-line indicator
SY100H607JZ(3)
J28-1
Commercial
SY100H607JZ with
Matte-Sn
Pb-Free bar-line indicator
SY100H607JZTR(2, 3)
J28-1
Commercial
SY100H607JZ with
Matte-Sn
Pb-Free bar-line indicator
Notes:
1. Contact factory for die availability. Dice are guaranteed at T
A = 25°C, DC Electricals only.
2. Tape and Reel.
3. Pb-Free package is recommended for new designs.
28-Pin PLCC (J28-1)
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TOP VIEW
PLCC
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Q
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TGND
Q
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V
CCT
Q
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MR
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Q0
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VBB
TGND
CLK
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VCCE
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D5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M2027TXG30 SWITCH ROCKER SP3T 0.4VA 28V
2641LH/2A22628L110V SWITCH ROCKER DPST 16A 125V
2641LH/2A23601L220V SWITCH ROCKER DPST 16A 125V
2641LH/2A23621L220V SWITCH ROCKER DPST 16A 125V
2641LH/2A23628L220V SWITCH ROCKER DPST 16A 125V
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參數(shù)描述
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BSO613SPV G 功能描述:MOSFET SIPMOS PWR-TRNSTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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